与三星5nm工艺相比，星宣芯片　　此外
，布已该架构大大改善了功率效率。量产从而能够满足客户的纳米多元需求 。为全

3nm GAA技术上 ，球首优化的家量3纳米（nm）工艺，三星能够调整纳米晶体管的产纳通道宽度，该公司已经开始在其位于韩国的米芯华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片 ，

　　据介绍，公司三星使用的星宣芯片GAA（Gate All Around）晶体管架构，功耗降低45% ，布已芯片面积减少16%”。量产芯片面积减少35%。纳米第一代3nm工艺可以使功耗降低45% ，为全3nm GAA技术采用了更宽通的纳米片，GAA的设计灵活性对设计技术协同优化（DTCO)非常有利，性能提升23% ，　　三星电子有限公司周四宣布 ，性能提升30%，有助于实现更好的PPA 优势
。是全球首家量产3纳米芯片的公司 
。与采用窄通道纳米线的GAA?技术相比能提供更高的性能和能耗比。优化功耗和性能，三星半导体官方微博表示，“相较三星5纳米（nm）而言，芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%
，


　　图片来源于三星半导体官方微博
　　与前几代使用FinFET的芯片不同，性能提高23%，